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SiC碳化矽載盤

碳化矽載盤✘↟·↟☁,碳化矽刻蝕盤✘↟·↟☁,ICP刻蝕盤LED刻蝕用碳化矽托盤(SIC托盤)φ600mm是深矽刻蝕(ICP刻蝕機)專用的配件晶圓載盤✘↟·↟☁,也有稱為晶圓承載盤☁╃•▩↟、矽片承載盤,英文稱為Pocket Wafer↟│₪│◕。在半導體的CVD☁╃•▩↟、真空濺射等方面具有廣泛應用↟│₪│◕。我們可以為客戶提供矽☁╃•▩↟、碳化矽材料的定製晶圓載盤✘↟·↟☁,以滿足客戶不同的應用需求↟│₪│◕。可以提供帶真空孔

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碳化矽載盤✘↟·↟☁,碳化矽刻蝕盤✘↟·↟☁,ICP刻蝕盤

LED刻蝕用碳化矽托盤(SIC托盤)φ600mm是深矽刻蝕(ICP刻蝕機)專用的配件

晶圓載盤✘↟·↟☁,也有稱為晶圓承載盤☁╃•▩↟、矽片承載盤,英文稱為Pocket Wafer↟│₪│◕。在半導體的CVD☁╃•▩↟、真空濺射等方面具有廣泛應用↟│₪│◕。我們可以為客戶提供矽☁╃•▩↟、碳化矽材料的定製晶圓載盤✘↟·↟☁,以滿足客戶不同的應用需求↟│₪│◕。

可以提供帶真空孔的承載盤☁╃•▩↟、各種異形內槽的承載盤等↟│₪│◕。

碳化矽陶瓷製品✘↟·↟☁,採用高純超細碳化矽微粉✘↟·↟☁,經2450℃高溫燒結而成✘↟·↟☁,碳化矽含量在99.1%以上✘↟·↟☁,製品密度≥3.10g/cm3,不含金屬矽等金屬雜質↟│₪│◕。

►耐高溫--1800℃溫度下正常使用;

►高熱導性--和石墨材料的導熱性相當;

►硬度高--硬度僅次於金剛石☁╃•▩↟、立方氮化硼;

►耐腐蝕--強酸☁╃•▩↟、強鹼對其無任何腐蝕✘↟·↟☁,抗腐蝕性優於碳化鎢和氧化鋁;

►重量輕--密度3.10g/cm3,與鋁接近✘↟·↟☁,;

►不變形--極小的熱膨脹係數✘↟·↟☁,

►抗熱震--該材料可承受急劇的溫度變化✘↟·↟☁,抗熱衝擊✘↟·↟☁,耐急冷急熱,效能穩定↟│₪│◕。



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碳化矽載盤✘↟·↟☁,碳化矽刻蝕盤✘↟·↟☁,ICP刻蝕盤

LED刻蝕用碳化矽托盤(SIC托盤)φ600mm是深矽刻蝕(ICP刻蝕機)專用的配件

晶圓載盤✘↟·↟☁,也有稱為晶圓承載盤☁╃•▩↟、矽片承載盤,英文稱為Pocket Wafer↟│₪│◕。在半導體的CVD☁╃•▩↟、真空濺射等方面具有廣泛應用↟│₪│◕。我們可以為客戶提供矽☁╃•▩↟、碳化矽材料的定製晶圓載盤✘↟·↟☁,以滿足客戶不同的應用需求↟│₪│◕。

可以提供帶真空孔的承載盤☁╃•▩↟、各種異形內槽的承載盤等↟│₪│◕。

碳化矽陶瓷製品✘↟·↟☁,採用高純超細碳化矽微粉✘↟·↟☁,經2450℃高溫燒結而成✘↟·↟☁,碳化矽含量在99.1%以上✘↟·↟☁,製品密度≥3.10g/cm3,不含金屬矽等金屬雜質↟│₪│◕。

►耐高溫--1800℃溫度下正常使用;

►高熱導性--和石墨材料的導熱性相當;

►硬度高--硬度僅次於金剛石☁╃•▩↟、立方氮化硼;

►耐腐蝕--強酸☁╃•▩↟、強鹼對其無任何腐蝕✘↟·↟☁,抗腐蝕性優於碳化鎢和氧化鋁;

►重量輕--密度3.10g/cm3,與鋁接近✘↟·↟☁,;

►不變形--極小的熱膨脹係數✘↟·↟☁,

►抗熱震--該材料可承受急劇的溫度變化✘↟·↟☁,抗熱衝擊✘↟·↟☁,耐急冷急熱,效能穩定↟│₪│◕。


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