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gan快速退火爐✘↟·↟☁,gan快速退火爐的配置和特點有哪些╃◕•✘•?

作者╃·₪:admin 瀏覽量╃·₪:18 來源╃·₪:本站 時間╃·₪:2022-09-17 13:41:08

資訊摘要╃·₪:

GaN快速退火爐使用方便✘↟·↟☁,易於操作✘↟·↟☁,加熱元件採用紅外燈管✘↟·↟☁,加熱速度快✘↟·↟☁,節省時間↟│₪│◕。滑動法蘭簡化了樣品的裝卸過程✘↟·↟☁,操作方便✘↟·↟☁,可快速獲得實驗結果✘↟·↟☁,省去了重複的法蘭安裝過程✘↟·↟☁,減少了爐管安裝造成的損壞↟│₪│◕。那麼你知道它該有怎樣的配置和特點嗎╃◕•✘•?GaN快速退火爐適用於CVD工藝✘↟·↟☁,例如碳化矽塗層✘↟·↟☁,陶瓷基板電導率測試✘↟·↟☁,ZnO

  GaN快速退火爐使用方便✘↟·↟☁,易於操作✘↟·↟☁,加熱元件採用紅外燈管✘↟·↟☁,加熱速度快✘↟·↟☁,節省時間↟│₪│◕。滑動法蘭簡化了樣品的裝卸過程✘↟·↟☁,操作方便✘↟·↟☁,可快速獲得實驗結果✘↟·↟☁,省去了重複的法蘭安裝過程✘↟·↟☁,減少了爐管安裝造成的損壞↟│₪│◕。那麼你知道它該有怎樣的配置和特點嗎╃◕•✘•?
  GaN快速退火爐適用於CVD工藝✘↟·↟☁,例如碳化矽塗層✘↟·↟☁,陶瓷基板電導率測試✘↟·↟☁,ZnO奈米結構的受控生長✘↟·↟☁,陶瓷電容器(MLCC)氣氛燒結和其他實驗↟│₪│◕。此CVD系統配置╃·₪:1200度開放式真空管式爐(可選單溫度區✘↟·↟☁,雙溫度區)↟│₪│◕。多通道質量流量控制系統✘↟·↟☁,真空系統(可以選擇中真空或高真空)↟│₪│◕。
 

GaAs/GaN用快速退火爐

  1☁╃•▩↟、控制電路採用模糊PID程式控制技術✘↟·↟☁,具有溫度控制精度高✘↟·↟☁,熱慣性低✘↟·↟☁,溫度超調✘↟·↟☁,效能可靠✘↟·↟☁,操作簡單的特點↟│₪│◕。
  2☁╃•▩↟、氣路快速連線法蘭結構採用公司*的智慧財產權設計✘↟·↟☁,提高了操作的便利性↟│₪│◕。
  3☁╃•▩↟、中真空系統具有自動控制真空度上限和下限的功能✘↟·↟☁,高真空系統使用高壓耐衝擊分子泵↟│₪│◕。
  GaN快速退火爐易於操作✘↟·↟☁,加熱元件採用紅外燈管✘↟·↟☁,加熱速度快✘↟·↟☁,節省時間↟│₪│◕。滑動法蘭簡化了樣品的裝卸過程✘↟·↟☁,操作方便↟│₪│◕。實驗結果可以很快獲得✘↟·↟☁,並且省去了重複的方法✘↟·↟☁,藍色的安裝過程減少了由於安裝引起的爐管損壞↟│₪│◕。


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